GP2D050A120B

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Especificaciones

Número de pieza

GP2D050A120B
Fabricante / Marca

SemiQ
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

GP2D050A120B.pdf
Modelo ECAD
Tensión - inversa de pico (máxima)

Silicon Carbide Schottky
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

50A (DC)
Tensión - Desglose

TO-247-2
Serie

Amp+™
Estado RoHS

Tube
Tiempo de recuperación inversa (trr)

No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistencia @ Si, F

3174pF @ 1V, 1MHz
Polarización

TO-247-2
Otros nombres

1560-1003
1560-1003-ND
Temperatura de funcionamiento - Junction

0ns
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Número de pieza del fabricante

GP2D050A120B
Descripción ampliada

Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 50A (DC) Through Hole TO-247-2
configuración de diodo

100µA @ 1200V
Descripción

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2
Corriente - Fuga inversa a Vr

1.8V @ 50A
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

1200V (1.2kV)
Capacitancia Vr, F

-55°C ~ 175°C

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GP2D150A

Descripción: SENSOR DIST MEASUR 15CM DIGI

Fabricantes: Sharp Microelectronics

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