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GP1M016A025HG

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Especificaciones

Número de pieza

GP1M016A025HG
Fabricante / Marca

SemiQ
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 250V 16A TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

GP1M016A025HG.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

240 mOhm @ 8A, 10V
La disipación de energía (máximo)

93.9W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

1560-1185-1
1560-1185-1-ND
1560-1185-5
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

944pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

19nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

250V
Descripción detallada

N-Channel 250V 16A (Tc) 93.9W (Tc) Through Hole TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "GP1M016A025HG".

GP1M016A025PG

Descripción: MOSFET N-CH 250V 16A IPAK

Fabricantes: Global Power Technologies Group

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