MURT40020R

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Especificaciones

Número de pieza

MURT40020R
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.MURT40020R.pdf
2.MURT40020R.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.3V @ 200A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

200V
Paquete del dispositivo

Three Tower
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

125ns
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Three Tower
Otros nombres

MURT40020RGN
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
configuración de diodo

1 Pair Common Anode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 200V 400A (DC) Chassis Mount Three Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr

25µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

400A (DC)

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MURTA200120

Descripción: DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

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