MURT40005R

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Especificaciones

Número de pieza

MURT40005R
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.MURT40005R.pdf
2.MURT40005R.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.3V @ 200A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

50V
Paquete del dispositivo

Three Tower
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

125ns
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Three Tower
Otros nombres

MURT40005RGN
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
configuración de diodo

1 Pair Common Anode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 50V 400A (DC) Chassis Mount Three Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr

25µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

400A (DC)

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Envío
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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

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MURT40040

Descripción: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

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