MURT10010R

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

50+

$59.119

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

MURT10010R
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE MODULE 100V 100A 3TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.MURT10010R.pdf
2.MURT10010R.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.3V @ 50A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

100V
Paquete del dispositivo

Three Tower
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

75ns
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Three Tower
Otros nombres

MURT10010RGN
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
configuración de diodo

1 Pair Common Anode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 100V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr

25µA @ 50V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

100A (DC)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Hemos establecido asociaciones a largo plazo con los principales proveedores de logística global, que ofrecen soluciones de envío flexibles y eficientes adaptadas a sus necesidades únicas.Dependiendo del tamaño, el peso y el destino de su pedido, seleccionamos el transportista de envío más adecuado.También proporcionamos servicios de seguimiento de logística en tiempo real, lo que permite a los clientes comprender la ubicación y el estado de sus bienes en cualquier momento. Si tiene rutas de envío internacionales específicas o un vendedor de carga designado, comuníquese con nuestro equipo de ventas, estamos encantados de acomodar sus requisitos.

Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

Los siguientes son productos relacionados con "MURT10010R".

MURT10020R

Descripción: DIODE ARRAY GP REV POLAR 3TOWER

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

Existencias disponibles

MURT10010R

Petición de oferta en línea

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

SEMI: P1 Los envíos de obleas de silicio global aumentaron...

Semi: los ingresos del mercado mundial de materiales de sem...

La densidad de defectos del proceso de 2 nm de TSMC alcanza...

India invests $2.7 billion to boost local electronic compon...

Contrapunto: Para 2024, el envío global de sensores de ima...

El chip de 2NM de TSMC se producirá en masa en la segunda ...

Fuerte demanda de chips analógicos, el pronóstico de ingr...

INATRONICS 2025: Electronics & Component Industries

Institución: se espera que el chip auto-desarrollado de Ap...

NEPCON 2025 Unveils Next-Gen Tech

IBM CEO advierte sobre los riesgos de suministro de chips y...

EMK 2025 Highlights Innovation in Electronics Manufacturing

Seleccione el idioma

Idioma actual