MSRT20080(A)

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Especificaciones

Número de pieza

MSRT20080(A)
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.MSRT20080(A).pdf
2.MSRT20080(A).pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.2V @ 200A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

800V
Paquete del dispositivo

Three Tower
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Three Tower
Otros nombres

MSRT20080(A)GN
MSRT20080A
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
configuración de diodo

1 Pair Common Cathode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 800V 200A (DC) Chassis Mount Three Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 600V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

200A (DC)

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Envío
Forma de pago

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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

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MSRT200160(A)D

Descripción: DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

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