MSRT100120(A)D

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Especificaciones

Número de pieza

MSRT100120(A)D
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MSRT100120(A)D.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.1V @ 100A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

1200V
Paquete del dispositivo

Three Tower
Velocidad

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Three Tower
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

10 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Standard
configuración de diodo

1 Pair Series Connection
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Series Connection Standard 1200V 100A Chassis Mount Three Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr

10µA @ 1200V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

100A

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MSRD620CTT4RG

Descripción: DIODE ARRAY GP 200V 3A DPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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