MBRT120200R

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Especificaciones

Número de pieza

MBRT120200R
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 200V 60A 3 TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MBRT120200R.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

920mV @ 60A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

200V
Paquete del dispositivo

Three Tower
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Three Tower
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
configuración de diodo

1 Pair Common Anode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 200V 60A Chassis Mount Three Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr

1mA @ 200V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

60A

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MBRT120100

Descripción: DIODE MODULE 100V 120A 3TOWER

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

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