MBR60030CTRL

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Especificaciones

Número de pieza

MBR60030CTRL
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 30V 300A 2 TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

MBR60030CTRL.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

580mV @ 300A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

30V
Paquete del dispositivo

Twin Tower
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Twin Tower
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 150°C
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
configuración de diodo

1 Pair Common Anode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 30V 300A Chassis Mount Twin Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr

3mA @ 30V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

300A

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MBR60030CT

Descripción: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

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