MBR600100CTR

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Especificaciones

Número de pieza

MBR600100CTR
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.MBR600100CTR.pdf
2.MBR600100CTR.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

880mV @ 300A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

100V
Paquete del dispositivo

Twin Tower
Velocidad

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
embalaje

Bulk
Paquete / Cubierta

Twin Tower
Otros nombres

MBR600100CTRGN
Tipo de montaje

Chassis Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

4 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Schottky
configuración de diodo

1 Pair Common Anode
Descripción detallada

Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 100V 300A Chassis Mount Twin Tower
Corriente - Fuga inversa a Vr

1mA @ 20V
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

300A

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MBR600150CT

Descripción: DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER

Fabricantes: GeneSiC Semiconductor

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