GAP3SLT33-220FP

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Especificaciones

Número de pieza

GAP3SLT33-220FP
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA TO220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

GAP3SLT33-220FP.pdf
Modelo ECAD
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

1.7V @ 300mA
Voltaje - Inverso (Vr) (máx)

3300V
Paquete del dispositivo

TO-220FP
Velocidad

No Recovery Time > 500mA (Io)
Serie

-
Tiempo de recuperación inversa (trr)

0ns
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-2 Full Pack
Otros nombres

1242-1183
GAP3SLT33220FP
Temperatura de funcionamiento - Junction

-55°C ~ 175°C
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo de diodo

Silicon Carbide Schottky
Descripción detallada

Diode Silicon Carbide Schottky 3300V 300mA Through Hole TO-220FP
Corriente - Fuga inversa a Vr

5µA @ 3300V
Corriente - rectificada media (Io)

300mA
Capacitancia Vr, F

42pF @ 1V, 1MHz
Número de pieza base

GAP3SLT33

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Descripción: DIODE GEN PURP 150V 10A TO263AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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