GAP05SLT80-220

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Especificaciones

Número de pieza

GAP05SLT80-220
Fabricante / Marca

GeneSiC Semiconductor
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

GAP05SLT80-220.pdf
Modelo ECAD
Tensión - inversa de pico (máxima)

Silicon Carbide Schottky
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @

50mA (DC)
Tensión - Desglose

-
Serie

-
Estado RoHS

Tube
Tiempo de recuperación inversa (trr)

No Recovery Time > 500mA (Io)
Resistencia @ Si, F

25pF @ 1V, 1MHz
Polarización

Axial
Otros nombres

1242-1257
Temperatura de funcionamiento - Junction

0ns
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Número de pieza del fabricante

GAP05SLT80-220
Descripción ampliada

Diode Silicon Carbide Schottky 8000V (8kV) 50mA (DC) Through Hole
configuración de diodo

3.8µA @ 8000V
Descripción

DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
Corriente - Fuga inversa a Vr

4.6V @ 50mA
Corriente - rectificada media (Io) (por Diode)

8000V (8kV)
Capacitancia Vr, F

-55°C ~ 175°C

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SRAS2060HMNG

Descripción: DIODE SCHOTTKY 60V 20A TO263AB

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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