FDD8874

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Especificaciones

Número de pieza

FDD8874
Fabricante / Marca

Fairchild (onsemi)
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

FDD8874.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

2990pF @ 15V
Tensión - Desglose

TO-252AA
VGS (th) (Max) @Id

5.1 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (Max)

4.5V, 10V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

PowerTrench®
Estado RoHS

Cut Tape (CT)
RDS (Max) @Id, Vgs

18A (Ta), 116A (Tc)
Polarización

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

FDD8874CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Número de pieza del fabricante

FDD8874
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

72nC @ 10V
Tipo de IGBT

±20V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.5V @ 250µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 30V 18A (Ta), 116A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

MOSFET N-CH 30V 116A D-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30V
relación de capacidades

110W (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "FDD8874".

FDD8870

Descripción: MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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