VP1008B

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Especificaciones

Número de pieza

VP1008B
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 100V .79A TO-205
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

VP1008B.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-39
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

5 Ohm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

6.25W (Ta)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

P-Channel 100V 790mA (Ta) 6.25W (Ta) Through Hole TO-39
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

790mA (Ta)

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