SUP85N03-3M6P-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SUP85N03-3M6P-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SUP85N03-3M6P-GE3.pdf
2.SUP85N03-3M6P-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

3.6 mOhm @ 22A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.1W (Ta), 78.1W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

SUP85N03-3M6P-GE3CT
SUP85N03-3M6P-GE3CT-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3535pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

100nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 85A (Tc) 3.1W (Ta), 78.1W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

85A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "SUP85N03-3M6P-GE3".

SUP70N03-09BP-E3

Descripción: MOSFET N-CH 30V 70A TO220AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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