SUP40N10-30-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SUP40N10-30-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 38.5A TO220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SUP40N10-30-GE3.pdf
2.SUP40N10-30-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

30 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.1W (Ta), 89W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2400pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

60nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 38.5A (Tc) 3.1W (Ta), 89W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

38.5A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 200V 36A TO220AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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