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5004344Imagen SUG80050E-GE3Electro-Films (EFI) / Vishay

SUG80050E-GE3

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Especificaciones
  • Número de pieza
    SUG80050E-GE3
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    SUG80050E-GE3.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    TO-247AC
  • Serie
    ThunderFET®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    5.4 mOhm @ 20A, 10V
  • La disipación de energía (máximo)
    500W (Tc)
  • embalaje
    Tube
  • Paquete / Cubierta
    TO-247-3
  • Otros nombres
    SUG80050E-GE3CT
    SUG80050E-GE3CT-ND
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Through Hole
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    6250pF @ 75V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    165nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    7.5V, 10V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    150V
  • Descripción detallada
    N-Channel 150V 100A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247AC
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "SUG80050E-GE3".
DMP2066LSN-7

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Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated
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FDA79N15

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Descripción: MOSFET N-CH 150V 79A TO-3P

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FQI6N40CTU

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Descripción: MOSFET N-CH 400V 6A I2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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MMFT2N02ELT1

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Descripción: MOSFET N-CH 20V 1.6A SOT223

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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STP26NM60ND

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 21A TO220

Fabricantes: STMicroelectronics
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TK12A60U(Q,M)

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS

Fabricantes: Toshiba Semiconductor and Storage
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SPW11N80C3FKSA1

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Descripción: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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SUG90090E-GE3

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Descripción: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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DMP510DL-7

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Descripción:

Fabricantes: Diodes Incorporated
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FQU6P25TU

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Descripción: MOSFET P-CH 250V 4.7A IPAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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SUGRU-003

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Descripción: MAKE EVERYTHING MAGNETIC-SUGRU

Fabricantes: Pimoroni
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Descripción: TRANSISTOR

Fabricantes: Renesas Electronics America
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IRFR3707

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Descripción: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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PSMN1R5-40ES,127

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Descripción: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

Fabricantes: Nexperia
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STB24NM60N

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Descripción: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK

Fabricantes: STMicroelectronics
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SI5419DU-T1-GE3

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Descripción:

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
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BSC12DN20NS3GATMA1

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Descripción: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)
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SUGRU-002

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Descripción: SUGRU (8 PACK)

Fabricantes: Pimoroni
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Descripción: MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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SUGRU-001

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Descripción: SUGRU (3 PACK)

Fabricantes: Pimoroni
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