SUD90330E-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SUD90330E-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 200V 35.8A TO252AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SUD90330E-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252AA
Serie

ThunderFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

37.5 mOhm @ 12.2A, 10V
La disipación de energía (máximo)

125W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

SUD90330E-GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1172pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

32nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

7.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 35.8A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

35.8A (Tc)

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SUD50P04-13L-E3

Descripción: MOSFET P-CH 40V 60A TO252

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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