SUD35N10-26P-T4GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SUD35N10-26P-T4GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SUD35N10-26P-T4GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252, (D-Pak)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

26 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)

8.3W (Ta), 83W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 12V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

47nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

7V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 35A (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

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SUD35N10-26P-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 100V 35A DPAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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