SQM40N10-30_GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SQM40N10-30_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SQM40N10-30_GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263 (D2Pak)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

30 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

107W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

SQM40N10-30-GE3
SQM40N10-30-GE3-ND
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3345pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

62nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

100V
Descripción detallada

N-Channel 100V 40A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

40A (Tc)

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Descripción: MOSFET N-CH 100V 47A TO263

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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