SQJA96EP-T1_GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SQJA96EP-T1_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 80V 30A POWERPAKSO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SQJA96EP-T1_GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SO-8
Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

21.5 mOhm @ 10A, 10V
La disipación de energía (máximo)

48W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SO-8
Otros nombres

SQJA96EP-T1_GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

30A (Tc)

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SQJA94EP-T1_GE3

Descripción: MOSFET N-CH 80V 46A POWERPAKSO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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