SQ3442EV-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SQ3442EV-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 4.3A 6TSOP
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SQ3442EV-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

55 mOhm @ 4A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.7W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

SQ3442EV-T1-GE3DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

405pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 4.3A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.3A (Tc)

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