SIHP25N40D-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIHP25N40D-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SIHP25N40D-GE3.pdf
2.SIHP25N40D-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

170 mOhm @ 13A, 10V
La disipación de energía (máximo)

278W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

SIHP25N40DGE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1707pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

88nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

400V
Descripción detallada

N-Channel 400V 25A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

25A (Tc)

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SIHP25N40D-E3

Descripción: MOSFET N-CH 400V 25A TO-220AB

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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