SIHH11N65E-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIHH11N65E-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIHH11N65E-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® 8 x 8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

363 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

130W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerTDFN
Otros nombres

SIHH11N65E-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1257pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

68nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

650V
Descripción detallada

N-Channel 650V 12A (Tc) 130W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "SIHH11N65E-T1-GE3".

SIHG70N60AEF-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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