SIHB22N60ET5-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIHB22N60ET5-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 600V 21A TO263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

SIHB22N60ET5-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-263 (D²Pak)
Serie

E
RDS (Max) @Id, Vgs

180 mOhm @ 11A, 10V
La disipación de energía (máximo)

227W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1920pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

86nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

600V
Descripción detallada

N-Channel 600V 21A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

21A (Tc)

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SIHB22N60S-E3

Descripción: MOSFET N-CH 600V 22A D2PAK

Fabricantes: Vishay Siliconix

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