SIF912EDZ-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SIF912EDZ-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIF912EDZ-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Paquete del dispositivo

PowerPAK® (2x5)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

19 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Potencia - Max

1.6W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® 2x5
Otros nombres

SIF912EDZ-T1-E3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

15nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 30V 7.4A 1.6W Surface Mount PowerPAK® (2x5)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.4A
Número de pieza base

SIF912E

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2N7002BKV,115

Descripción:

Fabricantes: Nexperia

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