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SIAA00DJ-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIAA00DJ-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CHAN 25V
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIAA00DJ-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

+16V, -12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie

TrenchFET® Gen IV
RDS (Max) @Id, Vgs

5.6 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SC-70-6
Otros nombres

SIAA00DJ-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1090pF @ 12.5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

24nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

25V
Descripción detallada

N-Channel 25V 20.1A (Ta), 40A (Tc) 3.5W (Ta), 19.2W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

20.1A (Ta), 40A (Tc)

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SIAERO+-EVB

Descripción: BOARD EVAL FOR AERO+

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

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