SIA817EDJ-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIA817EDJ-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIA817EDJ-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Serie

LITTLE FOOT®
RDS (Max) @Id, Vgs

65 mOhm @ 3A, 10V
La disipación de energía (máximo)

1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SC-70-6 Dual
Otros nombres

SIA817EDJ-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

23nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

Schottky Diode (Body)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

P-Channel 30V 4.5A (Tc) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

4.5A (Tc)

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SIA813DJ-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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