SIA477EDJT-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SIA477EDJT-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 12V 12A SC70-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SIA477EDJT-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SC-70-6 Single
Serie

TrenchFET® Gen III
RDS (Max) @Id, Vgs

13 mOhm @ 5A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

19W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SC-70-6
Otros nombres

SIA477EDJT-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

3050pF @ 6V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

50nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

12V
Descripción detallada

P-Channel 12V 12A (Tc) 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Single
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "SIA477EDJT-T1-GE3".

SIA533EDJ-T1-GE3

Descripción: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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