SI7983DP-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SI7983DP-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI7983DP-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 600µA
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SO-8 Dual
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

17 mOhm @ 12A, 4.5V
Potencia - Max

1.4W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SO-8 Dual
Otros nombres

SI7983DP-T1-E3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

74nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 7.7A 1.4W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

7.7A
Número de pieza base

SI7983

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SI7960DP-T1-E3

Descripción: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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