SI7784DP-T1-GE3

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

SI7784DP-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI7784DP-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerPAK® SO-8
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

6 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

5W (Ta), 27.7W (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

PowerPAK® SO-8
Otros nombres

SI7784DP-T1-GE3DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1600pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

45nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 35A (Tc) 5W (Ta), 27.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Hemos establecido asociaciones a largo plazo con los principales proveedores de logística global, que ofrecen soluciones de envío flexibles y eficientes adaptadas a sus necesidades únicas.Dependiendo del tamaño, el peso y el destino de su pedido, seleccionamos el transportista de envío más adecuado.También proporcionamos servicios de seguimiento de logística en tiempo real, lo que permite a los clientes comprender la ubicación y el estado de sus bienes en cualquier momento. Si tiene rutas de envío internacionales específicas o un vendedor de carga designado, comuníquese con nuestro equipo de ventas, estamos encantados de acomodar sus requisitos.

Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

Los siguientes son productos relacionados con "SI7784DP-T1-GE3".

SI7804DN-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 30V 6.5A 1212-8

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

SI7784DP-T1-GE3

Petición de oferta en línea

Emax Asia 2025: Advancing SMT, Smart Manufacturing, and Gre...

AI and Electrification: Dual Engines Reshaping Electronic C...

Canada’s Semiconductor Sector Pursues Resilience Through G...

El equipo ALD micro LED de Beneq recibe pedidos adicionales...

SK KeyFoundry colabora con LB Semicon para desarrollar tecn...

Instituciones: TSMC, Intel y Samsung Electronics tiene tasa...

El PNT de Corea del Sur entrará en el negocio de sustrato ...

U.S. Reciprocal Tariff Delay and Hike to 49%: Implicati...

Apple está adoptando en gran medida chips M5 para comparti...

Política arancelaria de EE. UU. No está claro, la compañ...

Estimulado por la demanda de semiconductores chinos, las ó...

GlobalFoundries adquiere MIPS, otra compañía de chips RIS...

Review (1)

Stal***e

Quick inquiry

Seleccione el idioma

Idioma actual