SI4946BEY-T1-GE3

Petición de oferta en línea

Complete todos los campos requeridos con su información de contacto. Haga clic en "Enviar RFQ" Nos comunicaremos con usted en breve por correo electrónico.O envíenos un correo electrónico:info@ftcelectronics.com

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

Existencias disponibles

$0.708

10+

$0.638

30+

$0.60

100+

$0.557

500+

$0.54

1000+

$0.531

Consulta en línea

Especificaciones

Número de pieza

SI4946BEY-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI4946BEY-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

41 mOhm @ 5.3A, 10V
Potencia - Max

3.7W
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

SI4946BEY-T1-GE3CT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6.5A 3.7W Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

6.5A
Número de pieza base

SI4946

Noticias relaciondas
Envío
Forma de pago

Hemos establecido asociaciones a largo plazo con los principales proveedores de logística global, que ofrecen soluciones de envío flexibles y eficientes adaptadas a sus necesidades únicas.Dependiendo del tamaño, el peso y el destino de su pedido, seleccionamos el transportista de envío más adecuado.También proporcionamos servicios de seguimiento de logística en tiempo real, lo que permite a los clientes comprender la ubicación y el estado de sus bienes en cualquier momento. Si tiene rutas de envío internacionales específicas o un vendedor de carga designado, comuníquese con nuestro equipo de ventas, estamos encantados de acomodar sus requisitos.

Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

Los siguientes son productos relacionados con "SI4946BEY-T1-GE3".

SI4944DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET 2N-CH 30V 9.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

SI4946BEY-T1-GE3

Petición de oferta en línea

Precio de Referencia (En Dólares Estadounidenses)

SK Hynix supera a Samsung por primera vez, superando el mer...

World Environment Day： Futuretech’s Real-World Actions To...

WSTS: Se espera que el tamaño del mercado global de semico...

AI-Driven Future: Semiconductor and Electronic Component In...

Renesas Electronics abandona el plan de producción de chip...

Ireland’s “Silicon Island” Plan: Strengthening Europe’s...

AMD adquiere Silicon Photonics Chip Company Enoemi, fortale...

La startup de chip de IA Edgecortix recibe 3 mil millones d...

Wolfspeed planea bancarrota, Renesas enfrenta un riesgo de ...

Institución: Los precios de Flash de NAND esperados aument...

NVIDIA to Build Giant AI Supercomputer in Taiwan

Foxconn invierte $ 1.5 mil millones para expandir su fábri...

Review (1)

Stal***e

Quick inquiry

Seleccione el idioma

Idioma actual