SI4403CDY-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI4403CDY-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.SI4403CDY-T1-GE3.pdf
2.SI4403CDY-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

15.5 mOhm @ 9A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 5W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

SI4403CDY-T1-GE3-ND
SI4403CDY-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2380pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

90nC @ 8V
Tipo FET

P-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

P-Channel 20V 13.4A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

13.4A (Tc)

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SI4403BDY-T1-E3

Descripción: MOSFET P-CH 20V 7.3A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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