SI4156DY-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI4156DY-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI4156DY-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

6 mOhm @ 15.7A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta), 6W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

SI4156DY-T1-GE3TR
SI4156DYT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

27 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1700pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

42nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 24A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

24A (Tc)

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SI4164DY-T1-GE3

Descripción: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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