SI3552DV-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI3552DV-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI3552DV-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA (Min)
Paquete del dispositivo

6-TSOP
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

105 mOhm @ 2.5A, 10V
Potencia - Max

1.15W
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Otros nombres

SI3552DV-T1-GE3TR
SI3552DVT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

33 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3.2nC @ 5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 30V 1.15W Surface Mount 6-TSOP
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-
Número de pieza base

SI3552

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SI3588DV-T1-GE3

Descripción: MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6-TSOP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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