SI1539DDL-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI1539DDL-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 30V SC70-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS
Especificaciones

SI1539DDL-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SC-70-6
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

388 mOhm @ 600mA, 10V, 1.07 Ohm @ 400mA, 10V
Potencia - Max

340mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

28pF @ 15V, 21pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

1.1nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Standard
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 30V 700mA (Tc), 460mA (Tc) 340mW Surface Mount SC-70-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

700mA (Tc), 460mA (Tc)

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SI1489EDH-T1-GE3

Descripción: MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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