SI1470DH-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI1470DH-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 30V 5.1A SC-70-6
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI1470DH-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

SC-70-6 (SOT-363)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

66 mOhm @ 3.8A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Otros nombres

SI1470DH-T1-GE3TR
SI1470DHT1GE3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

510pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

7.5nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 5.1A (Tc) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

5.1A (Tc)

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SI1488DH-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Existencias disponibles

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