SI1078X-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI1078X-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI1078X-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

142 mOhm @ 1A, 10V
La disipación de energía (máximo)

240mW (Tc)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

SI1078X-T1-GE3DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

3nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

30V
Descripción detallada

N-Channel 30V 1.02A (Tc) 240mW (Tc) Surface Mount
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

1.02A (Tc)

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SI1070X-T1-E3

Descripción: MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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