SI1035X-T1-E3

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Especificaciones

Número de pieza

SI1035X-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI1035X-T1-E3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

400mV @ 250µA (Min)
Paquete del dispositivo

SC-89-6
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Potencia - Max

250mW
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

SI1035X-T1-E3CT
SI1035XT1E3
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

0.75nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 145mA 250mW Surface Mount SC-89-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

180mA, 145mA
Número de pieza base

SI1035

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SI1034-B-GM3

Descripción: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 85-VFLGA

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

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