SI1016CX-T1-GE3

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Especificaciones

Número de pieza

SI1016CX-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

SI1016CX-T1-GE3.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

1V @ 250µA
Paquete del dispositivo

SC-89-6
Serie

TrenchFET®
RDS (Max) @Id, Vgs

396 mOhm @ 500mA, 4.5V
Potencia - Max

220mW
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

SOT-563, SOT-666
Otros nombres

SI1016CX-T1-GE3-ND
SI1016CX-T1-GE3TR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 10V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2nC @ 4.5V
Tipo FET

N and P-Channel
Característica de FET

Logic Level Gate
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

Mosfet Array N and P-Channel 20V 220mW Surface Mount SC-89-6
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

-

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SI1014-A-GM

Descripción: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

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