IRFZ10PBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRFZ10PBF
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.IRFZ10PBF.pdf
2.IRFZ10PBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-220AB
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

200 mOhm @ 6A, 10V
La disipación de energía (máximo)

43W (Tc)
embalaje

Tube
Paquete / Cubierta

TO-220-3
Otros nombres

*IRFZ10PBF
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Through Hole
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

11nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 10A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

10A (Tc)

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Los siguientes son productos relacionados con "IRFZ10PBF".

IRFU9N20D

Descripción: MOSFET N-CH 200V 9.4A I-PAK

Fabricantes: International Rectifier (Infineon Technologies)

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