IRF630STRLPBF

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Especificaciones

Número de pieza

IRF630STRLPBF
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

IRF630STRLPBF.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

D²PAK (TO-263)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

400 mOhm @ 5.4A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3W (Ta), 74W (Tc)
embalaje

Cut Tape (CT)
Paquete / Cubierta

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres

IRF630STRLPBFCT
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

18 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

43nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 9A (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Tc)

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IRF630NSTRLPBF

Descripción:

Fabricantes: Infineon Technologies

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