EPC8010ENGR

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Especificaciones

Número de pieza

EPC8010ENGR
Fabricante / Marca

EPC
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

EPC8010ENGR.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

55pF @ 50V
Tensión - Desglose

Die
VGS (th) (Max) @Id

160 mOhm @ 500mA, 5V
Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)
Serie

eGaN®
Estado RoHS

Tray
RDS (Max) @Id, Vgs

2.7A (Ta)
Polarización

-
Otros nombres

917-EPC8010ENGR
EPC8010ENGJ
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

EPC8010ENGR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

0.48nC @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.5V @ 250µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 100V 2.7A (Ta) Surface Mount Die
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100V
relación de capacidades

-

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Los siguientes son productos relacionados con "EPC8010ENGR".

EPC8004ENGR

Descripción: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC

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