EPC8003ENGR

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Especificaciones

Número de pieza

EPC8003ENGR
Fabricante / Marca

EPC
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

1.EPC8003ENGR.pdf
2.EPC8003ENGR.pdf
Modelo ECAD
Voltaje - Prueba

38pF @ 50V
Tensión - Desglose

Die
VGS (th) (Max) @Id

300 mOhm @ 500mA, 5V
Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)
Serie

eGaN®
Estado RoHS

Tray
RDS (Max) @Id, Vgs

2.5A (Ta)
Polarización

Die
Otros nombres

917-EPC8003ENGR
EPC8003ENGK
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante

EPC8003ENGR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

0.32nC @ 5V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

2.5V @ 250µA
Característica de FET

N-Channel
Descripción ampliada

N-Channel 100V 2.5A (Ta) Surface Mount Die
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

-
Descripción

TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

100V
relación de capacidades

-

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Los siguientes son productos relacionados con "EPC8003ENGR".

EPC8004

Descripción: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC

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