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EPC2012

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Especificaciones
  • Número de pieza
    EPC2012
  • Fabricante / Marca
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    +6V, -5V
  • Tecnología
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Paquete del dispositivo
    Die
  • Serie
    eGaN®
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    100 mOhm @ 3A, 5V
  • La disipación de energía (máximo)
    -
  • embalaje
    Original-Reel®
  • Paquete / Cubierta
    Die
  • Otros nombres
    917-1017-6
  • Temperatura de funcionamiento
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    145pF @ 100V
  • Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs
    1.8nC @ 5V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    200V
  • Descripción detallada
    N-Channel 200V 3A (Ta) Surface Mount Die
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    3A (Ta)
EPC2010C

EPC2010C

Descripción: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2010CENGR

EPC2010CENGR

Descripción: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2001

EPC2001

Descripción: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2015

EPC2015

Descripción: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2012C

EPC2012C

Descripción: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2007

EPC2007

Descripción: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2012CENGR

EPC2012CENGR

Descripción: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC1PI8N

EPC1PI8N

Descripción:

Fabricantes: ALTERA
Existencias disponibles
EPC2010

EPC2010

Descripción: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2014

EPC2014

Descripción: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC1PI8

EPC1PI8

Descripción: IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP

Fabricantes: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Existencias disponibles
EPC2001C

EPC2001C

Descripción: TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2007C

EPC2007C

Descripción: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC1PC8CC

EPC1PC8CC

Descripción: IC CONFIG DEVICE

Fabricantes: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Existencias disponibles
EPC2016C

EPC2016C

Descripción: TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2015CENGR

EPC2015CENGR

Descripción: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2014C

EPC2014C

Descripción: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2018

EPC2018

Descripción: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2016

EPC2016

Descripción: TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles
EPC2015C

EPC2015C

Descripción: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC
Existencias disponibles

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