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EPC2010C

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Especificaciones

Número de pieza

EPC2010C
Fabricante / Marca

EPC
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

EPC2010C.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

2.5V @ 3mA
Vgs (Max)

+6V, -4V
Tecnología

GaNFET (Gallium Nitride)
Paquete del dispositivo

Die Outline (7-Solder Bar)
Serie

eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs

25 mOhm @ 12A, 5V
La disipación de energía (máximo)

-
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

Die
Otros nombres

917-1085-2
Temperatura de funcionamiento

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

12 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

540pF @ 100V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

5.3nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

200V
Descripción detallada

N-Channel 200V 22A (Ta) Surface Mount Die Outline (7-Solder Bar)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

22A (Ta)

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EPC2015C

Descripción: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Fabricantes: EPC

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