ZXM66N02N8TA

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Especificaciones

Número de pieza

ZXM66N02N8TA
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 20V 9A 8-SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / RoHS no conforme
Especificaciones

ZXM66N02N8TA.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

700mV @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

8-SO
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

15 mOhm @ 4.1A, 4.5V
La disipación de energía (máximo)

2.5W (Ta)
embalaje

Original-Reel®
Paquete / Cubierta

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Otros nombres

ZXM66N02N8DKR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

20V
Descripción detallada

N-Channel 20V 9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

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Apoyamos múltiples métodos de pago, incluidas tarjetas de crédito, transferencias bancarias y otras opciones, y aceptamos la mayoría de las monedas.Para los pedidos realizados en USD, hay opciones de pago adicionales disponibles.Para obtener más detalles sobre métodos y procedimientos de pago, comuníquese con nuestro equipo de ventas.

Los siguientes son productos relacionados con "ZXM66N02N8TA".

ZXMC3A17DN8TC

Descripción: MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Fabricantes: Diodes Incorporated

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