DMTH6010LK3-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMTH6010LK3-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Contiene plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMTH6010LK3-13.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

TO-252, (D-Pak)
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

8 mOhm @ 20A, 10V
La disipación de energía (máximo)

3.1W (Ta)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Otros nombres

DMTH6010LK3-13DITR
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

24 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2090pF @ 30V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

41.3nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

60V
Descripción detallada

N-Channel 60V 14.8A (Ta), 70A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

14.8A (Ta), 70A (Tc)

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DMTH6016LPS-13

Descripción: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Fabricantes: Diodes Incorporated

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