DMT8012LFG-13

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Especificaciones

Número de pieza

DMT8012LFG-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Cantidad de stock

Existencias disponibles
Descripción

MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8
Estado Libre de plomo / Estado RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS
Especificaciones

DMT8012LFG-13.pdf
Modelo ECAD
VGS (th) (Max) @Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo

PowerDI3333-8
Serie

-
RDS (Max) @Id, Vgs

16 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo)

2.2W (Ta), 30W (Tc)
embalaje

Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta

8-PowerWDFN
Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje

Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante

32 Weeks
Estado sin plomo / Estado RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1949pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs

34nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica de FET

-
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las

80V
Descripción detallada

N-Channel 80V 9.5A (Ta), 35A (Tc) 2.2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C

9.5A (Ta), 35A (Tc)

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DMT68M8LSS-13

Descripción: MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

Fabricantes: Diodes Incorporated

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