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2648542Imagen DMN26D0UFB4-7Diodes Incorporated

DMN26D0UFB4-7

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Especificaciones
  • Número de pieza
    DMN26D0UFB4-7
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Cantidad de stock
    Existencias disponibles
  • Descripción
    MOSFET N-CH 20V 230MA DFN
  • Estado Libre de plomo / Estado RoHS
    Sin plomo / Cumple con RoHS
  • Especificaciones
    DMN26D0UFB4-7.pdf
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @Id
    1.1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Tecnología
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Paquete del dispositivo
    X2-DFN1006-3
  • Serie
    -
  • RDS (Max) @Id, Vgs
    3 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • La disipación de energía (máximo)
    350mW (Ta)
  • embalaje
    Cut Tape (CT)
  • Paquete / Cubierta
    3-XFDFN
  • Otros nombres
    DMN26D0UFB4-7DICT
  • Temperatura de funcionamiento
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montaje
    Surface Mount
  • Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tiempo de entrega estándar del fabricante
    14 Weeks
  • Estado sin plomo / Estado RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    14.1pF @ 15V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica de FET
    -
  • Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las
    20V
  • Descripción detallada
    N-Channel 20V 230mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
  • Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C
    230mA (Ta)

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Descripción: MOSFET N-CH 20V .25A X2-DFN0606

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Descripción: MOSFET N-CHANNEL 30V 16A 8SO

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Descripción: MOSFET N-CH 25V 0.24A 3DFN

Fabricantes: Diodes Incorporated
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